图像仅供参考，请参阅规格书
制造商:Taiwan Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:TO-252-3
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:250 V
Id-连续漏极电流:8 A
Rds On-漏源导通电阻:500 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Qg-栅极电荷:8.4 nC
最小工作温度:-
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:52 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Reel
晶体管类型:1 N-Channel
商标:Taiwan Semiconductor
下降时间:14 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:25 ns
工厂包装数量:2500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:30 ns
典型接通延迟时间:14 ns
单位重量:340 mg